半导体

SEMICONDUCTOR

应用概述

面向晶圆、器件、封装与微纳加工环节，提供结构观察、关键尺寸测量、缺陷定位和电子束光刻能力。

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器件结构

观察芯片结构、膜层、通孔、焊点和封装界面。

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关键尺寸

辅助测量线宽、间距、孔径和结构形貌变化。

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失效定位

针对缺陷、污染和电迁移区域进行微区观察。

应用影像

APPLICATION IMAGING

GaN HEMT 器件横截面 SEM（源/栅/漏结构）
GaN HEMT 器件横截面 SEM（源/栅/漏结构）
硅通孔（TSV）截面形貌（SEM，含尺寸标注）
硅通孔（TSV）截面形貌（SEM，含尺寸标注）
SiC MOSFET 失效分析（FIB-SEM 截面与缺陷定位）
SiC MOSFET 失效分析（FIB-SEM 截面与缺陷定位）

典型样品

晶圆、芯片、封装器件、MEMS、掩膜版和微纳加工结构。

推荐解决方案

扫描电镜用于结构观察和缺陷定位，电子束光刻用于微纳图形加工与工艺验证。

服务流程

工艺节点确认 → 样品与真空要求 → 观察或光刻方案 → 参数验证 → 小批量试制。